Site map 1Site map 2Site map 3Site map 4Site map 5Site map 6Site map 7Site map 8Site map 9Site map 10Site map 11Site map 12Site map 13Site map 14Site map 15Site map 16Site map 17Site map 18Site map 19Site map 20Site map 21Site map 22Site map 23Site map 24Site map 25Site map 26Site map 27Site map 28Site map 29Site map 30Site map 31Site map 32Site map 33Site map 34Site map 35Site map 36Site map 37Site map 38Site map 39Site map 40Site map 41Site map 42Site map 43Site map 44Site map 45Site map 46Site map 47Site map 48Site map 49Site map 50Site map 51Site map 52Site map 53Site map 54Site map 55Site map 56Site map 57Site map 58Site map 59Site map 60Site map 61Site map 62Site map 63Site map 64Site map 65Site map 66Site map 67Site map 68Site map 69Site map 70Site map 71Site map 72Site map 73Site map 74Site map 75Site map 76Site map 77Site map 78Site map 79Site map 80Site map 81Site map 82Site map 83Site map 84Site map 85Site map 86Site map 87Site map 88Site map 89Site map 90Site map 91Site map 92Site map 93Site map 94Site map 95Site map 96Site map 97Site map 98Site map 99Site map 100Site map 101Site map 102Site map 103Site map 104Site map 105Site map 106Site map 107Site map 108Site map 109Site map 110Site map 111Site map 112Site map 113Site map 114Site map 115Site map 116Site map 117Site map 118Site map 119Site map 120Site map 121Site map 122Site map 123Site map 124Site map 125Site map 126Site map 127Site map 128Site map 129Site map 130Site map 131Site map 132Site map 133Site map 134Site map 135Site map 136Site map 137Site map 138Site map 139Site map 140Site map 141Site map 142Site map 143Site map 144Site map 145Site map 146Site map 147Site map 148Site map 149Site map 150Site map 151Site map 152Site map 153Site map 154Site map 155Site map 156Site map 157Site map 158Site map 159Site map 160Site map 161Site map 162Site map 163Site map 164Site map 165Site map 166Site map 167Site map 168Site map 169Site map 170Site map 171Site map 172Site map 173Site map 174Site map 175Site map 176Site map 177Site map 178Site map 179Site map 180Site map 181Site map 182Site map 183Site map 184Site map 185Site map 186Site map 187Site map 188Site map 189Site map 190Site map 191Site map 192Site map 193Site map 194Site map 195Site map 196Site map 197Site map 198Site map 199Site map 200Site map 201Site map 202Site map 203Site map 204Site map 205Site map 206Site map 207Site map 208Site map 209Site map 210Site map 211Site map 212Site map 213Site map 214Site map 215Site map 216Site map 217Site map 218Site map 219Site map 220Site map 221Site map 222Site map 223Site map 224Site map 225Site map 226Site map 227Site map 228Site map 229Site map 230Site map 231Site map 232Site map 233Site map 234Site map 235Site map 236Site map 237Site map 238Site map 239Site map 240Site map 241Site map 242Site map 243Site map 244Site map 245Site map 246Site map 247Site map 248Site map 249Site map 250Site map 251Site map 252Site map 253Site map 254Site map 255Site map 256Site map 257Site map 258Site map 259Site map 260Site map 261Site map 262Site map 263Site map 264Site map 265Site map 266Site map 267Site map 268Site map 269Site map 270Site map 271Site map 272Site map 273Site map 274Site map 275Site map 276Site map 277Site map 278Site map 279Site map 280Site map 281Site map 282Site map 283Site map 284Site map 285Site map 286Site map 287Site map 288Site map 289Site map 290Site map 291Site map 292Site map 293Site map 294Site map 295Site map 296Site map 297Site map 298Site map 299Site map 300Site map 301Site map 302Site map 303Site map 304Site map 305Site map 306Site map 307Site map 308Site map 309Site map 310Site map 311Site map 312Site map 313Site map 314Site map 315Site map 316Site map 317Site map 318Site map 319Site map 320Site map 321Site map 322Site map 323Site map 324Site map 325Site map 326Site map 327Site map 328Site map 329Site map 330Site map 331Site map 332Site map 333Site map 334Site map 335Site map 336Site map 337Site map 338Site map 339Site map 340Site map 341Site map 342Site map 343Site map 344Site map 345Site map 346Site map 347Site map 348Site map 349Site map 350Site map 351Site map 352Site map 353Site map 354Site map 355Site map 356Site map 357Site map 358Site map 359Site map 360Site map 361Site map 362Site map 363Site map 364Site map 365Site map 366Site map 367Site map 368Site map 369Site map 370Site map 371
english


 
 

О нас | О проекте | Как вступить в проект? | Подписка

 

Разделы сайта

Новости Армии


Вооружение

Поиск
в новостях:  
в статьях:  
в оружии и гр. тех.:  
в видео:  
в фото:  
в файлах:  
Реклама

Армия и обороноспособность
Отправить другу

Ситуация в области элементной базы российского оружия выходит из-под контроля и становится угрозой национальной безопасности страны

Боль­шин­ст­во со­стоя­щих на воо­ру­же­нии и экс­плуа­ти­руе­мых в на­стоя­щее вре­мя об­раз­цов ВВСТ бы­ло раз­ра­бо­та­но в 1970-1980-е гг. Ра­дио­элек­трон­ная ап­па­ра­ту­ра этих об­раз­цов бы­ла реа­ли­зо­ва­на на эле­мент­ной ба­зе 3-го по­ко­ле­ния, вклю­чаю­щей ин­те­граль­ные мик­ро­схе­мы ма­лой и сред­ней сте­пе­ни ин­те­гра­ции. В экс­плуа­ти­руе­мых и еще мо­раль­но не ус­та­рев­ших об­раз­цах воо­ру­же­ния сто­ит мо­раль­но и фи­зи­че­ски ус­та­рев­шая эле­мент­ная ба­за. На­ли­цо ус­то­яв­шая­ся дис­про­пор­ция тем­пов мо­раль­но­го ста­ре­ния об­раз­ца воо­ру­же­ния и фи­зи­че­ско­го и мо­раль­но­го ста­ре­ния эле­мент­ной ба­зы

В значительной части российского вооружения, отличающегося высокими боевыми и эксплуатационными характеристиками, как правило, используется морально и физически устаревшая элементная база. Фото: Андрей Матвеев

Пе­ри­од эко­но­ми­че­ско­го спа­да 1990-х гг. су­ще­ст­вен­но ска­зал­ся на всех от­рас­лях на­род­но­го хо­зяй­ст­ва, и, в пер­вую оче­редь, на раз­ви­тии ра­дио­элек­трон­ной про­мыш­лен­но­сти, из­де­лия ко­то­рой яв­ля­ют­ся ба­зо­вы­ми для ра­дио­элек­трон­ной ап­па­ра­ту­ры (РЭА). Сле­ду­ет от­ме­тить, что РЭА яв­ля­ет­ся ос­нов­ной со­став­ной ча­стью со­вре­мен­ных и тем бо­лее пер­спек­тив­ных об­раз­цов воо­ру­же­ния, во­ен­ной и спе­ци­аль­ной тех­ни­ки (ВВСТ), средств ав­то­ма­ти­за­ции управ­ле­ния и ин­фор­ма­ци­он­но­го обес­пе­че­ния, во мно­гом оп­ре­де­ля­ет их так­ти­ко-тех­ни­че­ские ха­рак­те­ри­сти­ки.

Боль­шин­ст­во со­стоя­щих на воо­ру­же­нии и экс­плуа­ти­руе­мых в на­стоя­щее вре­мя об­раз­цов ВВСТ бы­ло раз­ра­бо­та­но в 1970-1980-е гг. Ра­дио­элек­трон­ная ап­па­ра­ту­ра этих об­раз­цов бы­ла реа­ли­зо­ва­на на эле­мент­ной ба­зе 3-го по­ко­ле­ния, вклю­чаю­щей ин­те­граль­ные мик­ро­схе­мы ма­лой и сред­ней сте­пе­ни ин­те­гра­ции. За про­шед­шие де­ся­ти­ле­тия (30-40 лет) эле­мент­ная ба­за про­шла не­сколь­ко по­ко­ле­ний раз­ви­тия: поя­ви­лись боль­шие (БИС), сверх­боль­шие ин­те­граль­ные мик­ро­схе­мы (СБИС) и, на их ос­но­ве, – со­вре­мен­ные сис­те­мы-на­-кри­стал­ле (СнК).

Та­ким об­ра­зом, мож­но кон­ста­ти­ро­вать, что в экс­плуа­ти­руе­мых и еще мо­раль­но не ус­та­рев­ших об­раз­цах воо­ру­же­ния сто­ит мо­раль­но и фи­зи­че­ски ус­та­рев­шая эле­мент­ная ба­за. На­ли­цо ус­то­яв­шая­ся дис­про­пор­ция тем­пов мо­раль­но­го ста­ре­ния об­раз­ца воо­ру­же­ния и фи­зи­че­ско­го и мо­раль­но­го ста­ре­ния эле­мент­ной ба­зы.

Ука­зан­ная дис­про­пор­ция соз­да­ла гро­мад­ные труд­но­сти обес­пе­че­ния экс­плуа­та­ции РЭА, со­б­ран­ной на ус­та­рев­шей эле­мент­ной ба­зе. По­ло­же­ние усу­губ­ля­ет­ся еще тем, что в свя­зи с раз­ва­лом Со­вет­ско­го Сою­за и эко­но­ми­че­ским спа­дом мно­гие ти­пы ин­те­граль­ных мик­ро­схем ма­лой и сред­ней сте­пе­ни ин­те­гра­ции бы­ли сня­ты с про­из­вод­ст­ва вви­ду не­рен­та­бель­но­сти, вслед­ст­вие че­го поя­ви­лась так на­зы­вае­мая «про­блем­ная» эле­мент­ная ба­за.

До сих пор сло­жив­шая­ся (мож­но ска­зать, ту­пи­ко­вая) си­туа­ция раз­ре­ша­лась пре­иму­ще­ст­вен­но не сис­тем­но и не на го­су­дар­ст­вен­ном, а на ве­дом­ст­вен­ном уров­нях. При­ме­няе­мые спо­со­бы ее раз­ре­ше­ния мож­но объ­е­ди­нить в два.

Пер­вый спо­соб за­клю­чал­ся в том, что в се­рий­ных об­раз­цах ВВСТ бы­ло раз­ре­ше­но в ис­клю­чи­тель­ных слу­ча­ях ис­поль­зо­вать эле­мент­ную ба­зу им­порт­но­го про­из­вод­ст­ва (как стыд­ли­во пи­са­лось в офи­ци­аль­ных до­ку­мен­тах, но­ся­щих на­зва­ние «ог­ра­ни­чи­тель­ных пе­реч­ней», «до по­яв­ле­ния оте­че­ст­вен­ных ана­ло­гов»). Ес­те­ст­вен­но, в даль­ней­шей прак­ти­ке сло­во­со­че­та­ние «ис­клю­чи­тель­ный слу­чай» бы­ло мо­мен­таль­но за­бы­то. Ведь при­ме­не­ние им­порт­ных ком­плек­тую­щих бы­ло удоб­но раз­ра­бот­чи­ку, ко­то­рый лег­ко вы­пол­нял с ее ис­поль­зо­ва­ни­ем са­мые стро­гие тре­бо­ва­ния за­каз­чи­ка по на­деж­но­сти, мас­со-га­ба­рит­ным ха­рак­те­ри­сти­кам и энер­го­по­треб­ле­нию. Удоб­но бы­ло и за­каз­чи­ку, ко­то­ро­му не при­хо­ди­лось ула­мы­вать пре­иму­ще­ст­вен­но ча­ст­ные оте­че­ст­вен­ные мик­ро­элек­трон­ные пред­при­ятия, до­го­ва­ри­ва­ясь о вос­про­из­вод­ст­ве ста­рой но­менк­ла­ту­ры эле­мен­тов.

В ре­зуль­та­те се­го­дня про­бле­ма эле­мент­ной ба­зы при­об­ре­ла та­кую ост­ро­ту, что ста­вит под уг­ро­зу обес­пе­че­ние на­цио­наль­ной безо­пас­но­сти го­су­дар­ст­ва.

При­чем де­ло да­ле­ко не толь­ко в но­менк­ла­ту­ре и ка­че­ст­ве оте­че­ст­вен­ных мик­ро­схем. Не сек­рет, что в ин­те­граль­ных мик­ро­схе­мах боль­шой функ­цио­наль­ной слож­но­сти мо­гут быть лег­ко раз­ме­ще­ны так на­зы­вае­мые «за­клад­ки», то есть элек­три­че­ские це­пи, ко­то­рые по ко­ман­де из­вне мо­гут па­ра­ли­зо­вать ра­бо­ту всей сис­те­мы. По­доб­ные эф­фек­ты от­ме­ча­лись в хо­де во­ен­ных кон­флик­тов в ря­де стран и впо­след­ст­вии вы­зы­ва­ли серь­ез­ные ос­лож­не­ния меж­го­су­дар­ст­вен­ных от­но­ше­ний с по­став­щи­ка­ми та­ко­го ору­жия.

С раз­ва­лом Со­вет­ско­го Сою­за мно­гие ти­пы ин­те­граль­ных мик­ро­схем ма­лой и сред­ней сте­пе­ни ин­те­гра­ции бы­ли сня­ты с про­из­вод­ст­ва вви­ду не­рен­та­бель­но­сти, вслед­ст­вие че­го поя­ви­лась так на­зы­вае­мая «про­блем­ная» эле­мент­ная ба­заЭто от­но­сит­ся, кста­ти, не толь­ко к во­ен­ной тех­ни­ке. По­валь­ное ув­ле­че­ние оте­че­ст­вен­ных бан­ки­ров, энер­ге­ти­ков, неф­тя­ни­ков, а так­же не­ко­то­рых струк­тур го­су­дар­ст­вен­ной вла­сти за­куп­кой «под ключ» им­порт­ных ав­то­ма­ти­зи­ро­ван­ных сис­тем управ­ле­ния не ме­нее опас­но с точ­ки зре­ния безо­пас­но­сти.

Вто­рой спо­соб за­клю­чал­ся в вос­ста­нов­ле­нии про­из­вод­ст­ва мо­раль­но ус­та­рев­шей эле­мент­ной ба­зы или ее за­ме­ны на бо­лее со­вре­мен­ные и еще не сня­тые с про­из­вод­ст­ва ана­ло­ги. Пер­вые же при­ме­ры ис­поль­зо­ва­ния дан­но­го спо­со­ба по­ка­за­ли его эко­но­ми­че­скую не­эф­фек­тив­ность и тех­ни­че­скую не­оп­рав­дан­ность.

Эко­но­ми­че­ская не­эф­фек­тив­ность свя­за­на с тем, что за­ме­на ус­та­рев­шей и не вы­пус­кае­мой эле­мент­ной ба­зы на но­вую се­рию тре­бу­ет до­ро­го­стоя­ще­го пе­ре­про­ек­ти­ро­ва­ния ти­по­вых эле­мен­тов за­ме­ны (ТЭЗ) и пе­ре­ра­бот­ки пе­чат­ных плат под мик­ро­схе­мы дру­гой се­рии.

Это тре­бу­ет раз­ра­бот­ки прак­ти­че­ски за­но­во функ­цио­наль­ных и прин­ци­пи­аль­ных схем, пол­ной пе­ре­ра­бот­ки тес­тов функ­цио­наль­но­го кон­тро­ля, но­вой ор­га­ни­за­ции на­строй­ки и по­втор­но­го ис­пы­та­ния ап­па­ра­ту­ры, пе­ре­вы­пус­ка об­нов­лен­ной кон­ст­рук­тор­ской и тех­но­ло­ги­че­ской до­ку­мен­та­ции и т.д.

Тех­ни­че­ская не­це­ле­со­об­раз­ность свя­за­на с тем, что ко­ли­че­ст­во ком­плек­тую­щих в этом слу­чае ос­та­ет­ся прак­ти­че­ски на преж­нем уров­не. Сле­до­ва­тель­но, на преж­нем уров­не ос­та­ют­ся и экс­плуа­та­ци­он­ные ха­рак­те­ри­сти­ки из­де­лий, в том чис­ле их на­деж­ность. При этом сле­ду­ет от­ме­тить, что ча­ще все­го мик­ро­схе­мы, вы­пуск ко­то­рых во­зоб­нов­ля­ет­ся, об­ла­да­ют худ­ши­ми ха­рак­те­ри­сти­ка­ми, чем ра­нее. Это не­ис­пра­ви­мо и свя­за­но с це­лым ря­дом объ­ек­тив­ных и субъ­ек­тив­ных фак­то­ров, об­су­ж­дать ко­то­рые сей­час мы не бу­дем. Од­на­ко на прак­ти­ке при­ме­не­ние «во­зоб­нов­лен­ных» мик­ро­схем при­во­дят к серь­ез­но­му ухуд­ше­нию бое­вых и экс­плуа­та­ци­он­ных ха­рак­те­ри­стик ВВСТ.

Та­ким об­ра­зом, фи­нан­со­вые и про­из­вод­ст­вен­ные за­тра­ты на во­зоб­нов­ле­ние про­из­вод­ст­ва «ста­рых» ком­плек­тую­щих не при­во­дят к улуч­ше­нию тех­ни­че­ских и экс­плуа­та­ци­он­ных ха­рак­те­ри­стик РЭА.

Пред­став­ля­ет­ся, что един­ст­вен­ным оп­рав­дан­ным вы­хо­дом из сло­жив­шей­ся кри­зис­ной си­туа­ции мо­жет быть вне­дре­ние тех­но­ло­гии вир­ту­аль­ной эле­мент­ной ба­зы на ос­но­ве ис­поль­зо­ва­ния «сис­тем-на­-кри­стал­ле» (см. «ВКО» №№ 1, 2, 4 за 2006 г.).

Ос­нов­ной ба­зо­вой опе­ра­ци­ей тех­но­ло­гии вир­ту­аль­ной эле­мент­ной ба­зы яв­ля­ет­ся опе­ра­ция «сверт­ки», ко­то­рая пред­по­ла­га­ет ин­те­гра­цию ком­плек­тую­щих, реа­ли­зо­ван­ных на ус­та­рев­шей эле­мент­ной ба­зе, в кри­сталл с бо­лее вы­со­ки­ми тех­но­ло­ги­че­ски­ми нор­ма­ми. «Сверт­ка» мо­жет вклю­чать не­сколь­ко уров­ней.

«Сверт­ка» пер­во­го уров­ня вклю­ча­ет за­ме­ну ра­нее ус­та­нов­лен­ных в ти­по­вой эле­мент за­ме­ны (ТЭЗ) ин­те­граль­ных мик­ро­схем ма­лой сте­пе­ни ин­те­гра­ции и дру­гих дис­крет­ных эле­мен­тов на СБИС с со­хра­не­ни­ем ти­по­раз­ме­ра ТЭЗ и ба­зо­во­го разъ­е­ма, по­сред­ст­вом ко­то­ро­го ТЭЗ со­пря­га­ет­ся с ап­па­ра­ту­рой бо­лее вы­со­ко­го кон­ст­рук­ци­он­но­го уров­ня ие­рар­хии (на­при­мер, в блок, пульт или стой­ку).

Осу­ще­ст­в­ле­ние «сверт­ки» РЭА пер­во­го уров­ня пол­но­стью вос­ста­нав­ли­ва­ет ре­сурс ТЭ­За с уже бо­лее вы­со­ки­ми по­ка­за­те­ля­ми на­деж­но­сти, что по­зво­ля­ет зна­чи­тель­но про­длить срок служ­бы мо­раль­но не ус­та­рев­ших об­раз­цов ВВТ.

Сле­ду­ет об­ра­тить вни­ма­ние на тот факт, что при осу­ще­ст­в­ле­нии «сверт­ки» пер­во­го уров­ня не тре­бу­ет­ся до­ро­го­стоя­щей пе­ре­ра­бот­ки кон­ст­рук­ции, ка­бель­ных раз­во­док, ин­тер­фей­са и со­от­вет­ст­вую­щей кон­ст­рук­тор­ской, ра­бо­чей и экс­плуа­та­ци­он­ной до­ку­мен­та­ции мо­дер­ни­зи­руе­мой РЭА.

В ис­клю­чи­тель­ном боль­шин­ст­ве слу­ча­ев «сверт­ка» пер­во­го уров­ня пред­по­ла­га­ет, что вся кон­ст­рук­ция ос­та­ет­ся преж­ней, но на пла­те, в ячей­ке, бло­ке или лю­бом дру­гом объ­ек­те сам ТЭЗ вме­сто боль­шо­го ко­ли­че­ст­ва ком­плек­тую­щих эле­мен­тов бу­дет вклю­чать один или не­сколь­ко кри­стал­лов в ви­де БИС или СБИС.

Дру­ги­ми сло­ва­ми, но­вые ком­плек­тую­щие, а имен­но спе­циа­ли­зи­ро­ван­ные БИС и СБИС, ос­та­ют­ся смон­ти­ро­ван­ны­ми в ста­рые кон­ст­рук­ти­вы (пла­ты, бло­ки, стой­ки, шка­фы). При этом пло­щадь та­ких кон­ст­рук­ти­вов зна­чи­тель­но вы­сво­бо­ж­да­ет­ся.

Тех­но­ло­гия вир­ту­аль­ной эле­мент­ной ба­зы пред­по­ла­га­ет, что «свер­ну­тая» в БИС и СБИС ап­па­ра­ту­ра оформ­ля­ет­ся в ви­де IР-блоков (Intellectual Property - ин­тел­лек­ту­аль­ная соб­ст­вен­ность) и вклю­ча­ет­ся в биб­лио­те­ку фраг­мен­тов схем раз­ра­бот­чи­ка РЭА. В ре­зуль­та­те осу­ще­ст­в­ле­ния по­сле­до­ва­тель­ных «свер­ток» биб­лио­те­ка фраг­мен­тов схем по­сто­ян­но рас­ши­ря­ет­ся и мо­жет быть ис­поль­зо­ва­на в ка­че­ст­ве не­ко­то­рых стан­дарт­ных эле­мен­тов (ком­плек­тую­щих) для даль­ней­ших «свер­ток».

Та­ким об­ра­зом, от­ли­чи­тель­ной чер­той тех­но­ло­гии вир­ту­аль­ной эле­мент­ной ба­зы или од­ним из ос­нов­ных со­став­ляю­щих этой тех­но­ло­гии яв­ля­ет­ся на­ли­чие раз­ви­той и по­сто­ян­но по­пол­няю­щей­ся биб­лио­те­ки IР-блоков.

Не­дос­тат­ком «сверт­ки» пер­во­го уров­ня яв­ля­ет­ся то, что свер­ну­тая ап­па­ра­ту­ра (вновь спро­ек­ти­ро­ван­ные спе­циа­ли­зи­ро­ван­ные БИС и СБИС) ос­та­ют­ся в ок­ру­же­нии ста­рых кон­ст­рук­ти­вов (плат, бло­ков, сто­ек, шка­фов), при­чем в этих кон­ст­рук­ти­вах вы­сво­бо­ж­да­ет­ся зна­чи­тель­ная пло­щадь.

«Сверт­ка» вто­ро­го уров­ня уст­ра­ня­ет ука­зан­ный не­дос­та­ток и пред­по­ла­га­ет даль­ней­шую «сверт­ку» БИС и СБИС, по­лу­чен­ных в ре­зуль­та­те «сверт­ки» 1-го уров­ня и оформ­лен­ных в ви­де IР-блоков, в один кри­сталл. В ре­зуль­та­те из­ме­ня­ет­ся кон­ст­рук­ция РЭА (за­ме­на шка­фа на блок а, воз­мож­но, шка­фа на пла­ту).

Ис­поль­зо­ва­ние бо­лее глу­бо­кой ин­те­гра­ции эле­мен­тов в кри­стал­ле суб­мик­рон­ных или на­но­тех­но­ло­гий при «сверт­ке» РЭА вто­ро­го уров­ня мо­жет су­ще­ст­вен­но из­ме­нить об­лик мо­дер­ни­зи­руе­мых об­раз­цов ВВСТ и по­вы­сить их мо­биль­ность (на­при­мер, ста­цио­нар­ные об­раз­цы ВВСТ сде­лать во­зи­мы­ми, а во­зи­мые – сде­лать но­си­мы­ми при су­ще­ст­вен­ном улуч­ше­нии их так­ти­ко-тех­ни­че­ских ха­рак­те­ри­стик).

По­яв­ля­ет­ся воз­мож­ность всю ра­дио­элек­трон­ную ап­па­ра­ту­ру об­раз­ца ВВСТ раз­мес­тить на од­ном кри­стал­ле (на­при­мер, при­ем­ный тракт РЛС, на­ви­га­ци­он­ный при­ем­ник или на­ви­га­ци­он­но-с­вяз­ной тер­ми­нал и т.д.).

Сле­ду­ет от­ме­тить, что при реа­ли­за­ции суб­мик­рон­ных и на­но­тех­но­ло­гий для про­ек­ти­ро­ва­ния СнК воз­мож­ность вне­дре­ния «за­кла­док», спо­соб­ных за­бло­ки­ро­вать ап­па­ра­ту­ру, рез­ко воз­рас­та­ет, при­чем об­на­ру­жить та­кую «за­клад­ку» в СнК прак­ти­че­ски не­воз­мож­но.

Од­на­ко это­го не нуж­но опа­сать­ся, ес­ли раз­ра­бот­чи­ка­ми СнК яв­ля­ют­ся оте­че­ст­вен­ные фир­мы, по­сколь­ку да­же ес­ли се­рий­ное про­из­вод­ст­во та­ких кри­стал­лов по­ру­ча­ет­ся ино­стран­но­му пред­при­ятию, то его воз­мож­но­сти вне­дре­ния в кри­сталл ка­ких-ли­бо но­ва­ций прак­ти­че­ски рав­ны ну­лю.

«Сверт­ка» 1-го уров­ня мо­жет про­во­дить­ся по­этап­но и мно­го­крат­но, при­чем ко­ли­че­ст­во эта­пов за­ви­сит от со­стоя­ния мо­раль­но­го ста­ре­ния об­раз­ца ВВСТ и эко­но­ми­че­ских воз­мож­но­стей за­каз­чи­ка. В пер­вую оче­редь сво­ра­чи­ва­ет­ся та ап­па­ра­ту­ра, ко­то­рая вклю­ча­ет про­блем­ную эле­мент­ную ба­зу, т.е. мо­раль­но ус­та­рев­шие ком­плек­тую­щие, вы­пуск ко­то­рых пре­кра­щен или су­ще­ст­вен­но ог­ра­ни­чен и бу­дет пре­кра­щен в бли­жай­шем бу­ду­щем, или им­порт­ную эле­мент­ную ба­зу.

Вто­рой уро­вень «сверт­ки» мо­жет при­вес­ти к соз­да­нию но­во­го об­раз­ца воо­ру­же­ния. Для осу­ще­ст­в­ле­ния «сверт­ки» 2-го уров­ня не тре­бу­ет­ся боль­ших ка­пи­та­ло­вло­же­ний и вре­мен­ных за­трат. При ее осу­ще­ст­в­ле­нии мож­но пол­но­стью ис­поль­зо­вать ре­зуль­та­ты про­ве­де­ния «свер­ток» 1-го уров­ня.

При­ме­не­ние тех­но­ло­гии вир­ту­аль­ной эле­мент­ной ба­зы по­зво­ля­ет ре­шить про­бле­му под­дер­жа­ния тре­буе­мых тех­ни­ко-эко­но­ми­че­ских и экс­плуа­та­ци­он­ных ха­рак­те­ри­стик в те­че­ние все­го сро­ка экс­плуа­та­ции и су­ще­ст­вен­но уп­ро­стить тех­ни­че­ское об­слу­жи­ва­ние РЭАТех­но­ло­гия вир­ту­аль­ной эле­мент­ной ба­зы су­ще­ст­вен­но от­ли­ча­ет­ся от прак­ти­ко­вав­шей­ся ра­нее час­тич­ной или пол­ной за­ме­ны ус­та­рев­шей эле­мент­ной ба­зы.

Во-пер­вых, за­ме­на боль­шо­го ко­ли­че­ст­ва ком­плек­тую­щих на од­ну или не­сколь­ко СБИС умень­ша­ет в сот­ни раз ко­ли­че­ст­во меж­со­еди­не­ний, что при­во­дит к су­ще­ст­вен­но­му по­вы­ше­нию на­деж­но­сти ап­па­ра­ту­ры.

Во-вто­рых, со­кра­ще­ние чис­ла мик­ро­схем на пла­те до од­ной или не­сколь­ких БИС или СБИС при ис­поль­зо­ва­нии со­вре­мен­ных тех­но­ло­гий их про­ек­ти­ро­ва­ния и из­го­тов­ле­ния по­зво­ля­ет, как ми­ни­мум, на по­ря­док сни­зить по­треб­ляе­мую ими мощ­ность.

В-треть­их, за­ме­на боль­шо­го ко­ли­че­ст­ва ком­плек­тую­щих на од­ну-д­ве СБИС при не­зна­чи­тель­ной кон­ст­рук­тор­ской до­ра­бот­ке мо­жет зна­чи­тель­но умень­шить мас­со­га­ба­рит­ные ха­рак­те­ри­сти­ки ап­па­ра­ту­ры.

В-чет­вер­тых, воз­мож­ность пол­но­го со­хра­не­ния ин­тер­фей­са пе­чат­ной пла­ты, или ино­го ти­по­во­го эле­мен­та за­ме­ны, по­зво­ля­ет осу­ще­ст­вить за­ме­ну ус­та­рев­шей эле­мент­ной ба­зы на со­вре­мен­ную в мак­си­маль­но сжа­тые сро­ки.

И, на­ко­нец, за­ме­на от­но­си­тель­но боль­шо­го ко­ли­че­ст­ва раз­ме­щен­ных на пла­те мик­ро­схем и дру­гих ком­плек­тую­щих на од­ну или не­сколь­ко СБИС эко­но­ми­че­ски вы­год­на.

Тех­но­ло­гия вир­ту­аль­ной эле­мент­ной ба­зы – это но­вый эко­но­ми­че­ски оп­рав­дан­ный путь раз­ра­бот­ки, про­из­вод­ст­ва и по­сто­ян­но­го со­вер­шен­ст­во­ва­ния РЭА для экс­плуа­ти­руе­мых, мо­дер­ни­зи­руе­мых и пер­спек­тив­ных об­раз­цов ВВСТ. Она по­зво­ля­ет ре­шить ряд слож­ных про­блем, свя­зан­ных с обес­пе­че­ни­ем тре­буе­мых тех­ни­ко-эко­но­ми­че­ских ха­рак­те­ри­стик РЭА в те­че­ние все­го сро­ка экс­плуа­та­ции, су­ще­ст­вен­но по­вы­сить так­ти­ко-тех­ни­че­ские ха­рак­те­ри­сти­ки об­раз­цов ВВСТ и, в ко­неч­ном ито­ге, про­длить сро­ки служ­бы или жиз­нен­ный цикл экс­плуа­ти­руе­мых и мо­раль­но не ус­та­рев­ших об­раз­цов ВВСТ.

Вне­дре­ние тех­но­ло­гии вир­ту­аль­ной эле­мент­ной ба­зы в РЭА мо­жет осу­ще­ст­в­лять­ся на раз­лич­ных эта­пах жиз­нен­но­го цик­ла об­раз­цов ВВСТ.

Для экс­плуа­ти­руе­мых об­раз­цов ВВСТ при­ме­не­ние тех­но­ло­гии вир­ту­аль­ной эле­мент­ной ба­зы и, в ча­ст­но­сти мно­го­этап­ных «свер­ток» пер­во­го уров­ня, по­зво­ля­ет: вы­ров­нять дис­про­пор­цию мо­раль­но­го ста­ре­ния эле­мент­ной ба­зы РЭА и экс­плуа­ти­руе­мо­го об­раз­ца ВВСТ; ре­шить про­бле­му под­дер­жа­ния тре­буе­мых тех­ни­ко-эко­но­ми­че­ских и экс­плуа­та­ци­он­ных ха­рак­те­ри­стик в те­че­ние все­го сро­ка экс­плуа­та­ции; су­ще­ст­вен­но уп­ро­стить тех­ни­че­ское об­слу­жи­ва­ние РЭА; ре­шить про­бле­му фор­ми­ро­ва­ния и под­дер­жа­ния ЗИП в тре­буе­мых ко­ли­че­ст­вах.

Кро­ме то­го, что наи­бо­лее важ­но, про­ве­де­ние «свер­ток» пер­во­го уров­ня ес­те­ст­вен­ным об­ра­зом за счет вне­дре­ния бо­лее вы­со­ких тех­но­ло­гий при­во­дит к су­ще­ст­вен­но­му по­вы­ше­нию так­ти­ко-тех­ни­че­ских ха­рак­те­ри­стик об­раз­цов ВВСТ, их эво­лю­ци­он­но­му раз­ви­тию и со­вер­шен­ст­во­ва­нию (про­ис­хо­дит как бы «скры­тая» или «ла­тент­ная» мо­дер­ни­за­ция об­раз­ца). Этот факт, в свою оче­редь, при­во­дит к су­ще­ст­вен­но­му про­дле­нию жиз­нен­но­го цик­ла ВВСТ.

Для мо­дер­ни­зи­руе­мых сис­тем воо­ру­же­ния при­ме­не­ние тех­но­ло­гии вир­ту­аль­ной эле­мент­ной ба­зы и, в ча­ст­но­сти опе­ра­ции «сверт­ки» вто­ро­го уров­ня, мо­жет су­ще­ст­вен­но из­ме­нить об­лик сис­те­мы воо­ру­же­ния и при­вес­ти к соз­да­нию со­вер­шен­но но­во­го по сво­им так­ти­ко-тех­ни­че­ским ха­рак­те­ри­сти­кам об­раз­ца ВВСТ.

Дру­ги­ми сло­ва­ми, тех­но­ло­гия вир­ту­аль­ной эле­мент­ной ба­зы да­ет воз­мож­ность эво­лю­ци­он­ным пу­тем соз­дать но­вый об­ра­зец ВВСТ, ко­то­рый по сво­им так­ти­ко-тех­ни­че­ским ха­рак­те­ри­сти­кам су­ще­ст­вен­но пре­вос­хо­дит ис­ход­ный.

Для пер­спек­тив­ных, вновь раз­ра­ба­ты­вае­мых об­раз­цов ВВСТ при­ме­не­ние тех­но­ло­гии вир­ту­аль­ной эле­мент­ной ба­зы по­зво­лит су­ще­ст­вен­но со­кра­тить сро­ки раз­ра­бот­ки и эко­но­ми­че­ские за­тра­ты, уст­ра­нить слож­ные про­бле­мы, свя­зан­ные с под­дер­жа­ни­ем тре­буе­мых вы­со­ких тех­ни­че­ских и экс­плуа­та­ци­он­ных ха­рак­те­ри­стик в те­че­ние все­го сро­ка экс­плуа­та­ции ВВТ.

Та­ким об­ра­зом, при­ме­не­ние тех­но­ло­гии вир­ту­аль­ной эле­мент­ной ба­зы – это не толь­ко путь под­дер­жа­ния вы­со­ких тех­ни­ко-эко­но­ми­че­ских и экс­плуа­та­ци­он­ных ха­рак­те­ри­стик ВВСТ, но и путь су­ще­ст­вен­но­го про­дле­ния их жиз­нен­но­го цик­ла, эво­лю­ци­он­ный путь соз­да­ния но­вых об­раз­цов ВВСТ. 

Тех­но­ло­гия вир­ту­аль­ной эле­мент­ной ба­зы в пер­вую оче­редь ори­ен­ти­ро­ва­на на со­кра­ще­ние сро­ков раз­ра­бот­ки, умень­ше­ние рис­ка оши­бок, ис­клю­че­ние воз­мож­но­сти не­санк­цио­ни­ро­ван­ных «за­кла­док» и ите­ра­ций пе­ре­про­ек­ти­ро­ва­ния СБИС и СнК. Ин­фра­струк­ту­ра тех­но­ло­гии вир­ту­аль­ной эле­мент­ной ба­зы сов­па­да­ет с ин­фра­струк­ту­рой раз­ра­бот­ки и про­из­вод­ст­ва спе­циа­ли­зи­ро­ван­ных СБИС и СнК, (по­лу­про­вод­ни­ко­вые фаб­ри­ки, по­лу­про­вод­ни­ко­вые ди­зайн-цен­тры, ком­па­нии ав­то­ма­ти­за­ции про­ек­ти­ро­ва­ния), од­на­ко пе­ре­чень за­дач, ре­шае­мых ди­зайн-цен­тром и по­лу­про­вод­ни­ко­вой фаб­ри­кой, су­ще­ст­вен­но пе­ре­рас­пре­де­ля­ет­ся, слож­ность за­дач воз­рас­та­ет. Из­ме­ня­ет­ся и со­дер­жа­ние от­дель­ных эта­пов мар­шру­та про­ек­ти­ро­ва­ния.

Рас­смот­рим ос­нов­ные за­да­чи ор­га­ни­за­ции ра­бот по соз­да­нию тех­но­ло­гии вир­ту­аль­ной эле­мент­ной ба­зы для раз­ра­бот­ки РЭА об­раз­цов ВВСТ.

Тех­но­ло­гия при­ме­не­ния вир­ту­аль­ной эле­мент­ной ба­зы тре­бу­ет тес­но­го взаи­мо­дей­ст­вия раз­ра­бот­чи­ков РЭА и эле­мент­ной ба­зы. Вы­со­кие воз­мож­но­сти со­вре­мен­ной тех­но­ло­гии про­ек­ти­ро­ва­ния спе­циа­ли­зи­ро­ван­ных СБИС и СнК при­во­дят к их вы­со­кой ар­хи­тек­тур­ной слож­но­сти, что и обес­пе­чи­ва­ет воз­мож­ность реа­ли­зо­вать РЭА пол­но­стью на не­сколь­ких спе­циа­ли­зи­ро­ван­ных СБИС или на СнК.

Вре­мен­ная диа­грам­ма про­ек­ти­ро­ва­ни­яи про­из­вод­ст­ва СнК. Обозначения: Т – вре­мя про­ек­ти­ро­ва­ния и про­из­вод­ст­ва СнК в от­но­си­тель­ных еди­ни­цах; С – стои­мость про­ек­ти­ро­ва­ния и про­из­вод­ст­ва СнК в от­но­си­тель­ных еди­ни­цах; 1 – этап про­ек­ти­ро­ва­ния, вклю­чаю­щий сис­тем­ный, ло­ги­че­ский и то­по­ло­ги­че­ский уров­ни про­ек­ти­ро­ва­ния; 2 – не­по­сред­ст­вен­но этап про­из­вод­ст­ва опыт­ных об­раз­цов СнК на не­за­ви­си­мой по­лу­про­вод­ни­ко­вой фаб­ри­ке; 3 – за­клю­чи­тель­ный этап про­ек­ти­ро­ва­ния СнК, вклю­чаю­щий тес­ти­ро­ва­ние ко­неч­но­го про­дук­та. То­ни­ро­ва­ни­ем вы­де­ле­ны эта­пы про­ек­ти­ро­ва­ния, вы­пол­няе­мые ди­зайн-цен­тромЭто об­стоя­тель­ст­во при­во­дит к то­му, что при соз­да­нии СБИС и СнК раз­ра­бот­чи­ки РЭА не­из­беж­но ста­но­вят­ся не­по­сред­ст­вен­ны­ми уча­ст­ни­ка­ми про­ек­ти­ро­ва­ния кри­стал­лов, по­сколь­ку толь­ко они точ­но зна­ют, что долж­но по­лу­чить­ся «на вы­хо­де».

С дру­гой сто­ро­ны, и про­ек­ти­ров­щи­ки эле­мент­ной ба­зы долж­ны об­ла­дать оп­ре­де­лен­ны­ми сис­тем­ны­ми зна­ния­ми, при­чем, чем глуб­же бу­дут эти зна­ния в кон­крет­ной при­клад­ной об­лас­ти, для ко­то­рой раз­ра­ба­ты­ва­ет­ся эле­мент­ная ба­за, тем бо­лее ка­че­ст­вен­ной бу­дет про­ек­ти­руе­мая вир­ту­аль­ная эле­мент­ная ба­за.

Раз­ра­бот­чи­ки РЭА для соз­да­ния тех­но­ло­гии вир­ту­аль­ной эле­мент­ной ба­зы долж­ны при­вле­кать спе­циа­ли­зи­ро­ван­ные по­лу­про­вод­ни­ко­вые пред­при­ятия, в по­след­нее вре­мя по­лу­чив­шие на­зва­ние ди­зайн-цен­тров.

Для обес­пе­че­ния ка­че­ст­вен­ной раз­ра­бот­ки та­кие ди­зайн-цен­тры долж­ны об­ла­дать опы­том про­из­вод­ст­ва боль­ших, сверх­боль­ших ин­те­граль­ных мик­ро­схем и сис­тем-на­-кри­стал­ле и иметь сис­тем­ные зна­ния в пред­мет­ной об­лас­ти раз­ра­бот­чи­ка РЭА. Оче­вид­но, что взаи­мо­от­но­ше­ния ме­ж­ду раз­ра­бот­чи­ка­ми РЭА и эле­мент­ной ба­зы долж­ны быть на­столь­ко тес­ны­ми, что пред­став­ля­ет­ся ло­гич­ным иметь ди­зайн-цен­тры в со­ста­ве ор­га­ни­за­ций - раз­ра­бот­чи­ков РЭА. Не­об­хо­ди­мость вклю­че­ния ди­зайн-цен­тров в со­став раз­ра­бот­чи­ков РЭА дик­ту­ет­ся так­же сле­дую­щи­ми об­стоя­тель­ст­ва­ми.

Во-пер­вых, толь­ко спе­циа­ли­зи­ро­ван­ные ди­зайн-цен­тры мо­гут соз­дать биб­лио­те­ку фраг­мен­тов функ­цио­наль­но за­кон­чен­ных уз­лов РЭА экс­плуа­ти­руе­мых и раз­ра­ба­ты­вае­мых об­раз­цов ВВСТ и по­сто­ян­но ее на­ра­щи­вать при осу­ще­ст­в­ле­нии оче­ред­ных эта­пов об­нов­ле­ния ус­та­рев­шей эле­мент­ной ба­зы. Имен­но на­ли­чие биб­лио­тек ди­зайн-цен­тров, вы­пол­нен­ных в ви­де IР-блоков и HDL-описаний (HDL – Hardware Description Language, язык опи­са­ния ап­па­рат­ных ре­сур­сов) фраг­мен­тов схем, не­за­ви­си­мых от не­по­сред­ст­вен­ных про­из­во­ди­те­лей ин­те­граль­ных мик­ро­схем, да­ют воз­мож­ность су­ще­ст­вен­но со­кра­тить сро­ки по­сле­дую­щих эта­пов мо­дер­ни­за­ции РЭА и свое­вре­мен­ной за­ме­ны ус­та­рев­шей эле­мент­ной ба­зы. Кро­ме то­го, на­ли­чие раз­ви­тых биб­лио­тек IР-блоков и HDL-описаний мо­жет су­ще­ст­вен­но со­кра­тить за­тра­ты на раз­ра­бот­ку РЭА пер­спек­тив­ных об­раз­цов ВВСТ.

Во-вто­рых, ос­нов­ные за­тра­ты (фи­нан­со­вые и вре­мен­ные) на про­ек­ти­ро­ва­ние и про­из­вод­ст­во опыт­ных об­раз­цов СБИС и СнК при­хо­дят­ся на этап про­ек­ти­ро­ва­ния, вы­пол­няе­мый ди­зайн-цен­тром. Ус­ред­нен­ная вре­мен­ная диа­грам­ма про­цес­са про­ек­ти­ро­ва­ния и про­из­вод­ст­ва СнК и стои­мо­сти ос­нов­ных эта­пов про­ек­ти­ро­ва­ния и про­из­вод­ст­ва, по­лу­чен­ная по дан­ным по­лу­про­вод­ни­ко­вых ди­зайн-цен­тров раз­ра­бот­чи­ков сис­тем-на­-кри­стал­ле, при­ве­де­на на рис. 1.

Из диа­грам­мы сле­ду­ет, что ос­нов­ные за­тра­ты на раз­ра­бот­ку СнК при­хо­дят­ся на этап про­ек­ти­ро­ва­ния (этап 1), не­по­сред­ст­вен­но на до­лю про­из­вод­ст­ва опыт­ных об­раз­цов при­хо­дит­ся ме­нее 10% сум­мар­ных за­трат, вре­мен­ные за­тра­ты на про­из­вод­ст­во опыт­ных об­раз­цов СнК не пре­вы­ша­ют 3% сум­мар­ных вре­мен­ных за­трат.

Ди­зайн-цен­тры, не­по­сред­ст­вен­но про­ек­ти­рую­щие спе­циа­ли­зи­ро­ван­ные СнК, мо­гут не иметь (ско­рее все­го, не долж­ны иметь) соб­ст­вен­ное по­лу­про­вод­ни­ко­вое про­из­вод­ст­во, так как это эко­но­ми­че­ски не оп­рав­дан­но. По­сле до­ве­де­ния про­ек­та до то­по­ло­ги­че­ско­го уров­ня про­ек­ти­ро­ва­ния и оформ­ле­ния фраг­мен­тов схем в ви­де IР-блоков, при­год­ных для по­втор­но­го ис­поль­зо­ва­ния, ди­зайн-цен­тры мо­гут по оп­ре­де­лен­ным со­об­ра­же­ни­ям вы­би­рать не­за­ви­си­мые по­лу­про­вод­ни­ко­вые фаб­ри­ки лю­бых стран из чис­ла су­ще­ст­вую­щих для се­рий­но­го про­из­вод­ст­ва про­ек­ти­руе­мых схем по кри­те­рию вре­мя-стои­мость.

В-треть­их, на по­ве­ст­ке дня мно­гих го­су­дарств или, вер­нее ска­зать, от­дель­ных ве­домств го­су­дарств (в пер­вую оче­редь си­ло­вых струк­тур) сто­ит во­прос: в ка­кую кон­крет­но со­став­ляю­щую ин­фра­струк­ту­ры про­ек­ти­ро­ва­ния и про­из­вод­ст­ва СБИС и СнК (ди­зайн-цен­тры, по­лу­про­вод­ни­ко­вые фаб­ри­ки, цен­тры ав­то­ма­ти­за­ции про­ек­ти­ро­ва­ния) сле­ду­ет в пер­вую оче­редь вкла­ды­вать сред­ст­ва, что­бы обес­пе­чить соз­да­ние кон­ку­рен­то­спо­соб­ной РЭА оте­че­ст­вен­ной раз­ра­бот­ки? Ес­те­ст­вен­но, пре­стиж­но иметь все со­став­ляю­щие, од­на­ко это очень до­ро­го и дос­туп­но толь­ко очень раз­ви­тым го­су­дар­ст­вам.

На пер­вый взгляд, на­пра­ши­ва­ет­ся от­вет: в по­лу­про­вод­ни­ко­вую фаб­ри­ку, так как толь­ко фаб­ри­ка про­из­во­дит и по­став­ля­ет ко­неч­ный про­дукт (СБИС и СнК). Сле­ду­ет учесть, что наи­бо­лее до­ро­го­стоя­щая со­став­ляю­щая ин­фра­струк­ту­ры про­ек­ти­ро­ва­ния и про­из­вод­ст­ва СБИС и СнК – это по­лу­про­вод­ни­ко­вая фаб­ри­ка.

Од­на­ко при­об­ре­те­ние фаб­ри­ки, не под­дер­жан­ное раз­ра­бот­ка­ми ди­зайн-цен­тров, спо­соб­ных ее за­гру­зить, эко­но­ми­че­ски не­оп­рав­дан­но. Опять же, с точ­ки зре­ния безо­пас­но­сти же­ла­тель­но за­гру­зить фаб­ри­ку оте­че­ст­вен­ны­ми раз­ра­бот­ка­ми.

На­при­мер, за­куп­ка Рос­си­ей до­ро­го­стоя­щей тех­но­ло­ги­че­ской ли­нии про­из­вод­ст­ва СБИС и СнК с про­ект­ны­ми нор­ма­ми 180 мкм по­ка эко­но­ми­че­ски не­оп­рав­дан­на, так как в Рос­сии прак­ти­че­ски не ос­та­лось сис­тем­ных ар­хи­тек­то­ров, спо­соб­ных ее за­гру­зить оте­че­ст­вен­ны­ми про­ек­та­ми (в свя­зи с эко­но­ми­че­ским спа­дом и раз­ва­лом СССР наи­бо­лее ква­ли­фи­ци­ро­ван­ные спе­циа­ли­сты вы­еха­ли за пре­де­лы Рос­сии).

Ана­лиз дан­ных рис. 1 по­зво­ля­ет дать бо­лее обос­но­ван­ный от­вет: на­до ин­ве­сти­ро­вать в соз­да­ние ди­зайн-цен­тров. Соз­дать ди­зайн-цен­тры зна­чи­тель­но де­шев­ле по срав­не­нию с по­лу­про­вод­ни­ко­вой фаб­ри­кой, осо­бен­но ес­ли они соз­да­ют­ся не на но­вом мес­те и у го­су­дар­ст­ва есть со­от­вет­ст­вую­щий на­уч­но-тех­ни­че­ский по­тен­ци­ал (хо­тя кад­ро­вый го­лод, ско­рее все­го, при­ве­дет к за­тяж­ке это­го про­цес­са на го­ды и го­ды).

Имен­но ди­зайн-цен­тры соз­да­ют про­ект СБИС и СнК, вклю­чая его то­по­ло­гию. По­лу­чен­ный про­дукт мож­но вос­про­из­ве­сти на мно­гих не­за­ви­си­мых по­лу­про­вод­ни­ко­вых фаб­ри­ках ми­ра, при­чем вне­дрить­ся в про­ект на ста­дии ко­неч­но­го про­из­вод­ст­ва без ве­до­ма раз­ра­бот­чи­ков прак­ти­че­ски не­воз­мож­но.

Соз­да­ние кон­ку­рен­то­спо­соб­ной РЭА оте­че­ст­вен­ной раз­ра­бот­ки – од­на из пер­во­сте­пен­ных за­дач со­вре­мен­но­го эта­па раз­ви­тия рос­сий­ско­го воо­ру­же­нияТа­ким об­ра­зом, ос­но­ву тех­но­ло­гии вир­ту­аль­ной эле­мент­ной ба­зы долж­ны со­став­лять спе­циа­ли­зи­ро­ван­ные по­лу­про­вод­ни­ко­вые ди­зайн-цен­тры, при­чем же­ла­тель­но та­кие цен­тры иметь в со­ста­ве пред­при­ятий-раз­ра­бот­чи­ков РЭА. Они бе­рут на се­бя прак­ти­че­ски все эта­пы про­ек­ти­ро­ва­ния, при­чем их функ­ции и ре­шае­мые за­да­чи зна­чи­тель­но рас­ши­ря­ют­ся и ус­лож­ня­ют­ся по срав­не­нию с тра­ди­ци­он­ны­ми за­да­ча­ми, ре­шав­ши­ми­ся ра­нее по­лу­про­вод­ни­ко­вы­ми цен­тра­ми и раз­ра­бот­чи­ка­ми элек­трон­но-ком­по­нент­ной ба­зы. В ча­ст­но­сти, толь­ко спе­циа­ли­зи­ро­ван­ные ди­зайн-цен­тры спо­соб­ны ре­шить та­кие слож­ные за­да­чи как ли­к­ви­да­ция про­блем­ной эле­мент­ной ба­зы и уст­ра­не­ние воз­мож­но­сти не­санк­цио­ни­ро­ван­ных «за­кла­док» в РЭА об­раз­цов ВВТ.

Од­на­ко не сле­ду­ет за­бы­вать, что соз­да­ние ди­зайн-цен­тра то­же тре­бу­ет боль­шо­го объ­е­ма ин­ве­сти­ций. Кро­ме то­го, в ус­ло­ви­ях по­все­ме­ст­но­го кад­ро­во­го го­ло­да уком­плек­то­вать ди­зайн-центр сис­тем­ны­ми ар­хи­тек­то­ра­ми тре­буе­мой ква­ли­фи­ка­ции бу­дет очень не про­сто. По­это­му к во­про­су соз­да­ния соб­ст­вен­но­го ди­зайн-цен­тра нуж­но под­хо­дить край­не взве­шен­но.

Не­об­хо­ди­мость су­ще­ст­вен­но­го со­кра­ще­ния сро­ков про­ек­ти­ро­ва­ния и эко­но­ми­че­ских за­трат на про­ве­де­ние оче­ред­но­го эта­па за­ме­ны ус­та­рев­шей эле­мент­ной ба­зы тре­бу­ет та­ко­го мар­шру­та про­ек­ти­ро­ва­ния, ко­то­рый бы ис­клю­чал воз­мож­ность оши­бок про­ек­ти­ро­ва­ния, ис­клю­чал ите­ра­ции пе­ре­про­ек­ти­ро­ва­ния, пре­дос­тав­лял ши­ро­кие воз­мож­но­сти для по­втор­но­го ис­поль­зо­ва­ния ра­нее соз­дан­ных IР-блоков.

По­это­му мар­шрут про­ек­ти­ро­ва­ния СБИС и СнК для тех­но­ло­гии вир­ту­аль­ной эле­мент­ной ба­зы дол­жен в обя­за­тель­ном по­ряд­ке вклю­чать этап мо­де­ли­ро­ва­ния и про­то­ти­пи­ро­ва­ния про­ек­ти­руе­мой схе­мы на про­грам­ми­руе­мых ло­ги­че­ских ин­те­граль­ных мик­ро­схе­мах (ПЛИС).

Соз­да­ние ве­дом­ст­вен­ной биб­лио­те­ки IР-блоков тре­бу­ет ре­ше­ния це­ло­го ря­да за­дач, вклю­чая: раз­ра­бот­ку ве­дом­ст­вен­ных стан­дар­тов и фор­ма­тов оформ­ле­ния IР-блоков, их со­от­вет­ст­вие ме­ж­ду­на­род­ным; юри­ди­че­ское оформ­ле­ния прав на ин­тел­лек­ту­аль­ную соб­ст­вен­ность раз­ра­бо­тан­ных IР-блоков, СБИС и СнК, вклю­чая оп­ре­де­ле­ние соб­ст­вен­ни­ка (раз­ра­бот­чик РЭА, раз­ра­бот­чик эле­мент­ной ба­зы, их со­вме­ст­ная соб­ст­вен­ность) и обес­пе­че­ние его ис­клю­чи­тель­ных прав и т.д.

Вне­дре­ние тех­но­ло­гии вир­ту­аль­ной эле­мент­ной ба­зы в РЭА об­раз­цов ВВСТ тре­бу­ет пе­ре­смот­ра ря­да по­зи­ций, свя­зан­ных с экс­плуа­та­ци­ей РЭА, вклю­чая: раз­ра­бот­ку сис­те­мы тех­ни­че­ско­го об­слу­жи­ва­ния вир­ту­аль­ной эле­мент­ной ба­зы; раз­ра­бот­ку рег­ла­мен­ти­рую­щих до­ку­мен­тов про­ве­де­ния рег­ла­мент­ных, про­фи­лак­ти­че­ских и ре­монт­ных ра­бот; раз­ра­бот­ку рег­ла­мен­ти­рую­щих до­ку­мен­тов фор­ми­ро­ва­ния ЗИП, его под­дер­жа­ния и вос­ста­нов­ле­ния при оче­ред­ной за­ме­не ус­та­рев­шей эле­мент­ной ба­зы; про­лон­ги­ро­ва­ние сро­ков «ста­ре­ния» эле­мент­ной ба­зы и ее за­ме­ны в ап­па­ра­ту­ре РЭА и т.д.

Ус­пеш­ное вне­дре­ние тех­но­ло­гии вир­ту­аль­ной эле­мент­ной ба­зы тре­бу­ет так­же со­от­вет­ст­вую­ще­го кон­ст­рук­тив­но­го оформ­ле­ния и обос­но­ва­ния вы­бо­ра ти­по­вых эле­мен­тов за­ме­ны РЭА. Для РЭА пер­спек­тив­ных об­раз­цов воо­ру­же­ния долж­ны быть обос­но­ва­ны и раз­ра­бо­та­ны тре­бо­ва­ния к кон­ст­рук­тив­но­му ис­пол­не­нию ап­па­ра­ту­ры, ти­по­вым эле­мен­там за­ме­ны, обес­пе­чи­ваю­щие воз­мож­ность без до­пол­ни­тель­ных до­ра­бо­ток про­из­во­дить при не­об­хо­ди­мо­сти за­ме­ну ус­та­рев­шей эле­мент­ной ба­зы.

Под­во­дя итог, мож­но вы­ска­зать сле­дую­щие со­об­ра­же­ния:

  1. Си­туа­ция в об­лас­ти соз­да­ния и при­ме­не­ния эле­мент­ной ба­зы для су­ще­ст­вую­щих и раз­ра­ба­ты­вае­мых об­раз­цов ВВСТ вы­хо­дит из-под кон­тро­ля и ста­но­вит­ся уг­ро­зой на­цио­наль­ной безо­пас­но­сти стра­ны.
  2. Наи­бо­лее ра­цио­наль­ной ос­но­вой под­дер­жа­ния оте­че­ст­вен­ной эле­мент­ной ба­зы и РЭА в це­лом на уров­не луч­ших ми­ро­вых стан­дар­тов мо­жет слу­жить тех­но­ло­гия вир­ту­аль­ной эле­мент­ной ба­зы, ко­то­рая обес­пе­чи­ва­ет не толь­ко га­ран­тию не­воз­мож­но­сти не­санк­цио­ни­ро­ван­ных за­кла­док в РЭА, но и, что бо­лее важ­но, по­зво­ля­ет дос­тичь ми­ро­во­го уров­ня эле­мент­ной ба­зы, не про­хо­дя по­сле­до­ва­тель­но всех эта­пов ее раз­ви­тия.
  3. Тех­но­ло­гия вир­ту­аль­ной эле­мент­ной ба­зы – это но­вый эко­но­ми­че­ски оп­рав­дан­ный путь раз­ра­бот­ки, про­из­вод­ст­ва и по­сто­ян­но­го со­вер­шен­ст­во­ва­ния РЭА для экс­плуа­ти­руе­мых, мо­дер­ни­зи­руе­мых и пер­спек­тив­ных об­раз­цов ВВСТ, это эво­лю­ци­он­ный путь соз­да­ния но­вых об­раз­цов ВВТ и су­ще­ст­вен­но­го про­дле­ния их жиз­нен­но­го цик­ла.
  4. В на­стоя­щее вре­мя в Рос­сии на­ме­ти­лись лишь пер­вые по­пыт­ки вне­дре­ния тех­но­ло­гии вир­ту­аль­ной эле­мент­ной ба­зы в об­раз­цы ВВСТ, од­на­ко за­тя­ги­ва­ние ее вне­дре­ния мо­жет при­вес­ти к не­по­пра­ви­мым по­след­ст­ви­ям.

Показать источник
Автор: Сергей Константинович Колганов, доктор технических наук, профессор
Эдуард Георгиевич Лазаревич, доктор технических наук, профессор
Просмотров: 3223

Комментарии к статье (5)

В представленой статье изложена точка зрения автора, ее написавшего, и не имеет никакого прямого отношения к точке зрения ведущего раздела. Данная информация представлена как исторические материалы. Мы не несем ответственность за поступки посетителей сайта после прочтения статьи. Данная статья получена из открытых источников и опубликована в информационных целях. В случае неосознанного нарушения авторских прав информация будет убрана после получения соответсвующей просьбы от авторов или издателей в письменном виде.

e-mail друга: Ваше имя:


< 2017 Сегодня < Окт >
ПнВтСрЧтПтСбВс
      1
2345678
9101112131415
16171819202122
23242526272829
3031     
Сотрудничество
Реклама на сайте



Реклама